SI1905BDH-T1-E3
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| Teilenummer | SI1905BDH-T1-E3 |
| PNEDA Teilenummer | SI1905BDH-T1-E3 |
| Beschreibung | MOSFET 2P-CH 8V 0.63A SC70-6 |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.364 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SI1905BDH-T1-E3 Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SI1905BDH-T1-E3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
SI1905BDH-T1-E3, SI1905BDH-T1-E3 Datenblatt
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SI1905BDH-T1-E3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® |
| FET-Typ | 2 P-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 8V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 630mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 542mOhm @ 580mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.5nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 62pF @ 4V |
| Leistung - max | 357mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Lieferantengerätepaket | SC-70-6 (SOT-363) |
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