SI1905BDH-T1-E3 Datenblatt
SI1905BDH-T1-E3 Datenblatt
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Vishay Siliconix
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SI1905BDH-T1-E3
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Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 8V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 630mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 542mOhm @ 580mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.5nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 62pF @ 4V Leistung - max 357mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket SC-70-6 (SOT-363) |
