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BSS138BKS,115

BSS138BKS,115

Nur als Referenz

Teilenummer BSS138BKS,115
PNEDA Teilenummer BSS138BKS-115
Beschreibung MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Hersteller Nexperia
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Auf Lager 331.506
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 20 - Jan 25 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BSS138BKS Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBSS138BKS,115
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
BSS138BKS, BSS138BKS Datenblatt (Total Pages: 17, Größe: 1.600,73 KB)
PDFBSS138BKSH Datenblatt Cover
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BSS138BKS Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
SerieAutomotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.320mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.6Ohm @ 320mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.7nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds56pF @ 10V
Leistung - max445mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Lieferantengerätepaket6-TSSOP

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Vishay Siliconix

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FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

8V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

80mOhm @ 3.3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

350pF @ 4V

Leistung - max

3.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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FET-Typ

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FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

24V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

1.3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

37nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3333pF @ 10V

Leistung - max

1.45W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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FET-Typ

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FET-Funktion

Logic Level Gate, 5V Drive

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

45A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

1.9V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13.7nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1860pF @ 15V

Leistung - max

2.8W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 155°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

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FET-Typ

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FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.6W

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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FET-Typ

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FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1295pF @ 10V

Leistung - max

1.5W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

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