SI5905BDC-T1-GE3
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Teilenummer | SI5905BDC-T1-GE3 |
PNEDA Teilenummer | SI5905BDC-T1-GE3 |
Beschreibung | MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8 |
Hersteller | Vishay Siliconix |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 2.376 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SI5905BDC-T1-GE3 Ressourcen
Marke | Vishay Siliconix |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | SI5905BDC-T1-GE3 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
Datenblatt |
SI5905BDC-T1-GE3, SI5905BDC-T1-GE3 Datenblatt
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SI5905BDC-T1-GE3 Technische Daten
Hersteller | Vishay Siliconix |
Serie | TrenchFET® |
FET-Typ | 2 P-Channel (Dual) |
FET-Funktion | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 8V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 4A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 3.3A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 8V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 4V |
Leistung - max | 3.1W |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 8-SMD, Flat Lead |
Lieferantengerätepaket | 1206-8 ChipFET™ |
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