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SLA5041

SLA5041

Nur als Referenz

Teilenummer SLA5041
PNEDA Teilenummer SLA5041
Beschreibung MOSFET 4N-CH 200V 10A 12SIP
Hersteller Sanken
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Auf Lager 8.568
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

SLA5041 Ressourcen

Marke Sanken
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSLA5041
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
SLA5041, SLA5041 Datenblatt (Total Pages: 1, Größe: 31,76 KB)
PDFSLA5041 Datenblatt Cover

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SLA5041 Technische Daten

HerstellerSanken
Serie-
FET-Typ4 N-Channel
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.10A
Rds On (Max) @ Id, Vgs175mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds850pF @ 10V
Leistung - max5W
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall12-SIP
Lieferantengerätepaket12-SIP w/fin

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FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

32mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

19nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

670pF @ 20V

Leistung - max

20.8W

Betriebstemperatur

-50°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

20A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

43mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.8nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

432pF @ 25V

Leistung - max

52W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3Ohm @ 10mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.1V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

9.3pF @ 3V

Leistung - max

150mW (Ta)

Betriebstemperatur

150°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

WeEn Semiconductors

Serie

*

FET-Typ

-

FET-Funktion

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

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Vishay Siliconix

Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

11A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

92mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

280pF @ 25V

Leistung - max

27W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

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