BSO211PNTMA1
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| Teilenummer | BSO211PNTMA1 |
| PNEDA Teilenummer | BSO211PNTMA1 |
| Beschreibung | MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8SOIC |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.610 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BSO211PNTMA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BSO211PNTMA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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BSO211PNTMA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | OptiMOS™ |
| FET-Typ | 2 P-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 4.7A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 67mOhm @ 4.7A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 25µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23.9nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 920pF @ 15V |
| Leistung - max | 2W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | P-DSO-8 |
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