BSO211PNTMA1 Datenblatt
BSO211PNTMA1 Datenblatt
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Infineon Technologies
Website: https://www.infineon.com
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
BSO211PNTMA1
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Hersteller Infineon Technologies Serie OptiMOS™ FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs 67mOhm @ 4.7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23.9nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 920pF @ 15V Leistung - max 2W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket P-DSO-8 |
