AOC3870
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| Teilenummer | AOC3870 |
| PNEDA Teilenummer | AOC3870 |
| Beschreibung | MOSFET N-CHANNEL 6DFN |
| Hersteller | Alpha & Omega Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.904 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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AOC3870 Ressourcen
| Marke | Alpha & Omega Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | AOC3870 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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AOC3870 Technische Daten
| Hersteller | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 25A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8mOhm @ 5A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Leistung - max | 2.2W (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 10-SMD, No Lead |
| Lieferantengerätepaket | 10-AlphaDFN (3.01x1.52) |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie Automotive, AEC-Q101 FET-Typ N and P-Channel Complementary FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 21A (Tc), 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 7A, 10V, 25mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.5nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1184pF @ 15V, 1188pF @ 15V Leistung - max 900mW (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerVDFN Lieferantengerätepaket PowerDI3333-8 |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 510mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4Ohm @ 200mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 304nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 25V Leistung - max 700mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-23-6 Lieferantengerätepaket SOT-26 |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 7.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25.1nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1415pF @ 15V Leistung - max 1.1W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerWDFN Lieferantengerätepaket V-DFN3030-8 (Type J) |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion - Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6A, 7A Rds On (Max) @ Id, Vgs 29mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1200pF @ 10V Leistung - max 2W Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOP |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs 135mOhm @ 1.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 290pF @ 25V Leistung - max 1.04W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Lieferantengerätepaket 8-MSOP |
