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AOC3870

AOC3870

Nur als Referenz

Teilenummer AOC3870
PNEDA Teilenummer AOC3870
Beschreibung MOSFET N-CHANNEL 6DFN
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor
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Auf Lager 5.904
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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AOC3870 Ressourcen

Marke Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAOC3870
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
AOC3870, AOC3870 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 432,48 KB)
PDFAOC3870 Datenblatt Cover
AOC3870 Datenblatt Seite 2 AOC3870 Datenblatt Seite 3 AOC3870 Datenblatt Seite 4 AOC3870 Datenblatt Seite 5

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AOC3870 Technische Daten

HerstellerAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)12V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.8mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs32nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
Leistung - max2.2W (Ta)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall10-SMD, No Lead
Lieferantengerätepaket10-AlphaDFN (3.01x1.52)

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 3.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20.4nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1063pF @ 30V

Leistung - max

1.8W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

510mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.4Ohm @ 200mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

304nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 25V

Leistung - max

700mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

4 P-Channel

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

600mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2Ohm @ 1A, 12V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

150pF @ 15V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

DMN2008LFU-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

14.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.4mOhm @ 5.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250A

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

42.3nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1418pF @ 10V

Leistung - max

1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-UFDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

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Serie

-

FET-Typ

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FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A (Ta), 3.3A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

42mOhm @ 5A, 4.5V, 70mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA, 1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.5nC @ 10V, 6.5nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

416pF @ 10V, 536pF @ 10V

Leistung - max

700mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

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