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BSL316CH6327XTSA1

BSL316CH6327XTSA1

Nur als Referenz

Teilenummer BSL316CH6327XTSA1
PNEDA Teilenummer BSL316CH6327XTSA1
Beschreibung MOSFET N/P-CH 30V 1.4A/1.5A TSOP
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 2.844
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 30 - Jan 4 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BSL316CH6327XTSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBSL316CH6327XTSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

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BSL316CH6327XTSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieAutomotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET-TypN and P-Channel Complementary
FET-FunktionLogic Level Gate, 4.5V Drive
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.1.4A, 1.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs160mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 3.7µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.6nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds282pF @ 15V
Leistung - max500mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
LieferantengerätepaketPG-TSOP-6-6

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Silicon Carbide (SiC)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V (1.2kV)

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11mOhm @ 100A, 15V

Vgs (th) (Max) @ Id

5.55V @ 40mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

250nC @ 15V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7950pF @ 800V

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

IRF7104PBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

250mOhm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

290pF @ 15V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

STS5DNF60L

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

Automotive, AEC-Q101, STripFET™ II

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1030pF @ 25V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

RJM0603JSC-00#13

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)

FET-Funktion

Logic Level Gate, 4.5V Drive

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

20A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

43nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2600pF @ 10V

Leistung - max

54W

Betriebstemperatur

175°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

20-SOIC (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

20-HSOP

AO4801AS

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

*

FET-Typ

-

FET-Funktion

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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