BSL306NH6327XTSA1
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Teilenummer | BSL306NH6327XTSA1 |
PNEDA Teilenummer | BSL306NH6327XTSA1 |
Beschreibung | MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 6TSOP |
Hersteller | Infineon Technologies |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 6.876 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BSL306NH6327XTSA1 Ressourcen
Marke | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | BSL306NH6327XTSA1 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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BSL306NH6327XTSA1 Technische Daten
Hersteller | Infineon Technologies |
Serie | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
FET-Funktion | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 2.3A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 57mOhm @ 2.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 11µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.6nC @ 5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 275pF @ 15V |
Leistung - max | 500mW |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Lieferantengerätepaket | PG-TSOP-6-6 |
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ON Semiconductor Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ - FET-Funktion - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
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