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BLF7G27LS-90P,118

BLF7G27LS-90P,118

Nur als Referenz

Teilenummer BLF7G27LS-90P,118
PNEDA Teilenummer BLF7G27LS-90P-118
Beschreibung RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1121B
Hersteller Ampleon
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Auf Lager 7.254
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BLF7G27LS-90P Ressourcen

Marke Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBLF7G27LS-90P,118
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
BLF7G27LS-90P, BLF7G27LS-90P Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 1.854,78 KB)
PDFBLF7G27LS-90P Datenblatt Cover
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BLF7G27LS-90P Technische Daten

HerstellerAmpleon USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS (Dual), Common Source
Frequenz2.5GHz ~ 2.7GHz
Gewinn18.5dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)18A
Rauschzahl-
Stromtest720mA
Leistung - Leistung16W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallSOT-1121B
LieferantengerätepaketLDMOST

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

1.84GHz

Gewinn

28.9dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

24mA

Leistung - Leistung

12W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

TO-270-14 Variant, Gull Wing

Lieferantengerätepaket

TO-270WBG-15

VRF161

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

N-Channel

Frequenz

30MHz

Gewinn

24dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

20A

Rauschzahl

-

Stromtest

250mA

Leistung - Leistung

200W

Spannung - Nennspannung

170V

Paket / Fall

M174

Lieferantengerätepaket

M174

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Ampleon

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

108MHz

Gewinn

26dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

2.8µA

Rauschzahl

-

Stromtest

200mA

Leistung - Leistung

1900W

Spannung - Nennspannung

135V

Paket / Fall

SOT539B

Lieferantengerätepaket

SOT539B

PTFB191501EV1R250XTMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.99GHz

Gewinn

18dB

Spannungstest

30V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.2A

Leistung - Leistung

150W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

2-Flatpack, Fin Leads

Lieferantengerätepaket

H-36248-2

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

1.3GHz

Gewinn

19.2dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

350W

Spannung - Nennspannung

100V

Paket / Fall

OM780-4

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