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MRF8VP13350NR3

MRF8VP13350NR3

Nur als Referenz

Teilenummer MRF8VP13350NR3
PNEDA Teilenummer MRF8VP13350NR3
Beschreibung TRANS RF LDMOS 350W 50V
Hersteller NXP
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Auf Lager 2.448
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MRF8VP13350NR3 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRF8VP13350NR3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MRF8VP13350NR3, MRF8VP13350NR3 Datenblatt (Total Pages: 23, Größe: 739,38 KB)
PDFMRF8VP13350GNR3 Datenblatt Cover
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MRF8VP13350NR3 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS (Dual)
Frequenz1.3GHz
Gewinn19.2dB
Spannungstest50V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest100mA
Leistung - Leistung350W
Spannung - Nennspannung100V
Paket / FallOM780-4
LieferantengerätepaketOM780-4

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual), Common Source

Frequenz

2.11GHz ~ 2.17GHz

Gewinn

18dB

Spannungstest

32V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.3A

Leistung - Leistung

55W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-1120B

Lieferantengerätepaket

LDMOST

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

-

Frequenz

1MHz ~ 2.5GHz

Gewinn

16.3dB

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

100W

Spannung - Nennspannung

50V

Paket / Fall

NI-360H-2SB

Lieferantengerätepaket

NI-360H-2SB

BLA1011-2,112

Ampleon

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.03GHz ~ 1.09GHz

Gewinn

16dB

Spannungstest

36V

Nennstrom (Ampere)

2.2A

Rauschzahl

-

Stromtest

50mA

Leistung - Leistung

2W

Spannung - Nennspannung

75V

Paket / Fall

SOT-538A

Lieferantengerätepaket

2-CSMD

PTFA071701EV4XWSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

765MHz

Gewinn

18.7dB

Spannungstest

30V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

900mA

Leistung - Leistung

150W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

2-Flatpack, Fin Leads

Lieferantengerätepaket

H-36248-2

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

HFET

Frequenz

2GHz

Gewinn

16dB

Spannungstest

2V

Nennstrom (Ampere)

120mA

Rauschzahl

0.6dB

Stromtest

5mA

Leistung - Leistung

12dBm

Spannung - Nennspannung

4V

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

Lieferantengerätepaket

SOT-343

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