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MRF6V2010NR1

MRF6V2010NR1

Nur als Referenz

Teilenummer MRF6V2010NR1
PNEDA Teilenummer MRF6V2010NR1
Beschreibung FET RF 110V 220MHZ TO270-2
Hersteller NXP
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Auf Lager 4.252
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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MRF6V2010NR1 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRF6V2010NR1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MRF6V2010NR1, MRF6V2010NR1 Datenblatt (Total Pages: 26, Größe: 1.456,06 KB)
PDFMRF6V2010GNR5 Datenblatt Cover
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MRF6V2010NR1 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz220MHz
Gewinn23.9dB
Spannungstest50V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest30mA
Leistung - Leistung10W
Spannung - Nennspannung110V
Paket / FallTO-270AA
LieferantengerätepaketTO-270-2

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Hersteller

Broadcom Limited

Serie

-

Transistortyp

E-pHEMT

Frequenz

2GHz

Gewinn

15dB

Spannungstest

4.5V

Nennstrom (Ampere)

1A

Rauschzahl

1dB

Stromtest

280mA

Leistung - Leistung

29dBm

Spannung - Nennspannung

7V

Paket / Fall

8-WFDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-LPCC (2x2)

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

N-Channel JFET

Frequenz

450MHz

Gewinn

12dB

Spannungstest

10V

Nennstrom (Ampere)

60mA

Rauschzahl

3dB

Stromtest

10mA

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

25V

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.11GHz ~ 2.17GHz

Gewinn

12.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.3A

Leistung - Leistung

33W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-880

Lieferantengerätepaket

NI-880

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.11GHz ~ 2.17GHz

Gewinn

16dB

Spannungstest

30V

Nennstrom (Ampere)

49A

Rauschzahl

-

Stromtest

1.4A

Leistung - Leistung

40W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-502B

Lieferantengerätepaket

SOT502B

PTFC270101M-V1-R1K

Cree/Wolfspeed

Hersteller

Cree/Wolfspeed

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.17GHz

Gewinn

20.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

120mA

Leistung - Leistung

2.4W

Spannung - Nennspannung

65V

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