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BLF6G27-10G,118

BLF6G27-10G,118

Nur als Referenz

Teilenummer BLF6G27-10G,118
PNEDA Teilenummer BLF6G27-10G-118
Beschreibung RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975C
Hersteller Ampleon
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Auf Lager 8.154
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Voraussichtliche Lieferung Nov 26 - Dez 1 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BLF6G27-10G Ressourcen

Marke Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBLF6G27-10G,118
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF

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BLF6G27-10G Technische Daten

HerstellerAmpleon USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz2.5GHz ~ 2.7GHz
Gewinn19dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)3.5A
Rauschzahl-
Stromtest130mA
Leistung - Leistung2W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallSOT-975C
LieferantengerätepaketCDFM2

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Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

MESFET Dual Gate

Frequenz

900MHz

Gewinn

20dB

Spannungstest

5V

Nennstrom (Ampere)

40mA

Rauschzahl

1.1dB

Stromtest

10mA

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

13V

Paket / Fall

TO-253-4, TO-253AA

Lieferantengerätepaket

SOT-143

LET16060C

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.6GHz

Gewinn

13.8dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

12A

Rauschzahl

-

Stromtest

400mA

Leistung - Leistung

60W

Spannung - Nennspannung

80V

Paket / Fall

M243

Lieferantengerätepaket

M243

BF512,235

NXP

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

N-Channel JFET

Frequenz

100MHz

Gewinn

-

Spannungstest

10V

Nennstrom (Ampere)

30mA

Rauschzahl

1.5dB

Stromtest

5mA

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

20V

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

TO-236AB (SOT23)

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.47GHz ~ 1.51GHz

Gewinn

19.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

56A

Rauschzahl

-

Stromtest

1.6A

Leistung - Leistung

50W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-502B

Lieferantengerätepaket

SOT502B

PTFB082817FHV1S250XTMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

821MHz

Gewinn

19.3dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

2.15A

Leistung - Leistung

60W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

2-Flatpack, Fin Leads, Flanged

Lieferantengerätepaket

H-34288-4/2

Kürzlich verkauft

LPC1788FBD208,551

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NXP

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EDF1DS-E3/77

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BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DFS

TAJD686K016RNJ

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CAP TANT 68UF 10% 16V 2917

MCP73833-FCI/UN

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IC LI-ION/LI-POLY CTRLR 10MSOP

IS42S16160G-7BLI-TR

IS42S16160G-7BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

MC33990D

MC33990D

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APE30024

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RELAY GEN PURPOSE SPDT 6A 24V

SMBJ36CA-13-F

SMBJ36CA-13-F

Diodes Incorporated

TVS DIODE 36V 58.1V SMB

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ADP2164ACPZ-1.8-R7

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HCPL-3700-500E

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OPTOISOLATOR 3.75KV DARL 8DIP GW

AT28C16-15PC

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LTC4365IDDB#TRMPBF

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