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BLF4G10LS-120,112

BLF4G10LS-120,112

Nur als Referenz

Teilenummer BLF4G10LS-120,112
PNEDA Teilenummer BLF4G10LS-120-112
Beschreibung FET RF 65V 960MHZ SOT502B
Hersteller NXP
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Auf Lager 5.742
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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BLF4G10LS-120 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBLF4G10LS-120,112
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
BLF4G10LS-120, BLF4G10LS-120 Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 105,08 KB)
PDFBLF4G10LS-120 Datenblatt Cover
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BLF4G10LS-120 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz920MHz ~ 960MHz
Gewinn19dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)12A
Rauschzahl-
Stromtest650mA
Leistung - Leistung48W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallSOT-502B
LieferantengerätepaketSOT502B

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

HEMT

Frequenz

30MHz ~ 2.2GHz

Gewinn

18.4dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

200mA

Leistung - Leistung

125W

Spannung - Nennspannung

150V

Paket / Fall

NI-400S-2S

Lieferantengerätepaket

NI-400S-2S

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.11GHz ~ 2.17GHz

Gewinn

18dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

36A

Rauschzahl

-

Stromtest

1.3A

Leistung - Leistung

43W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-502B

Lieferantengerätepaket

SOT502B

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual), Common Source

Frequenz

2.5GHz ~ 2.7GHz

Gewinn

17.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

450mA

Leistung - Leistung

12W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-1121A

Lieferantengerätepaket

LDMOST

BLP25M710Z

Ampleon

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual), Common Source

Frequenz

2.14GHz

Gewinn

16dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

110mA

Leistung - Leistung

2W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

12-VDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

12-HVSON (6x4)

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

N-Channel

Frequenz

13.56MHz

Gewinn

20dB

Spannungstest

200V

Nennstrom (Ampere)

20A

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

750W

Spannung - Nennspannung

1000V

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

Die

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