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MMRF5017HSR5

MMRF5017HSR5

Nur als Referenz

Teilenummer MMRF5017HSR5
PNEDA Teilenummer MMRF5017HSR5
Beschreibung GAN 2.2GHZ 250W NI400S4S
Hersteller NXP
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Auf Lager 7.722
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MMRF5017HSR5 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMMRF5017HSR5
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MMRF5017HSR5, MMRF5017HSR5 Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 171,93 KB)
PDFMMRF5017HSR5 Datenblatt Cover
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MMRF5017HSR5 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypHEMT
Frequenz30MHz ~ 2.2GHz
Gewinn18.4dB
Spannungstest50V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest200mA
Leistung - Leistung125W
Spannung - Nennspannung150V
Paket / FallNI-400S-2S
LieferantengerätepaketNI-400S-2S

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.805GHz ~ 1.88GHz

Gewinn

16.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

750mA

Leistung - Leistung

45W

Spannung - Nennspannung

65V

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2-Flatpack, Fin Leads

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Hersteller

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Serie

-

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N-Channel JFET

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

15mA

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

30V

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Lieferantengerätepaket

TO-92-3

BF256AG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

N-Channel JFET

Frequenz

800MHz

Gewinn

11dB

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

7mA

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

30V

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.11GHz ~ 2.17GHz

Gewinn

17.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.35A

Leistung - Leistung

44W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-780S

Lieferantengerätepaket

NI-780S

CGHV14250F

Cree/Wolfspeed

Hersteller

Cree/Wolfspeed

Serie

GaN

Transistortyp

HEMT

Frequenz

1.2GHz ~ 1.4GHz

Gewinn

18dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

42mA

Rauschzahl

-

Stromtest

500mA

Leistung - Leistung

330W

Spannung - Nennspannung

125V

Paket / Fall

440162

Lieferantengerätepaket

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