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BLF7G15LS-200,112

BLF7G15LS-200,112

Nur als Referenz

Teilenummer BLF7G15LS-200,112
PNEDA Teilenummer BLF7G15LS-200-112
Beschreibung RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT502B
Hersteller Ampleon
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BLF7G15LS-200 Ressourcen

Marke Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBLF7G15LS-200,112
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
BLF7G15LS-200, BLF7G15LS-200 Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 903,92 KB)
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BLF7G15LS-200 Technische Daten

HerstellerAmpleon USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz1.47GHz ~ 1.51GHz
Gewinn19.5dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)56A
Rauschzahl-
Stromtest1.6A
Leistung - Leistung50W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallSOT-502B
LieferantengerätepaketSOT502B

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

N-Channel Dual Gate

Frequenz

800MHz

Gewinn

-

Spannungstest

5V

Nennstrom (Ampere)

30mA

Rauschzahl

1.7dB

Stromtest

12mA

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

7V

Paket / Fall

SOT-143R

Lieferantengerätepaket

SOT-143R

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

230MHz

Gewinn

25dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

600W

Spannung - Nennspannung

130V

Paket / Fall

NI-1230-4S

Lieferantengerätepaket

NI-1230-4S

PD57002S-E

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

960MHz

Gewinn

15dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

250mA

Rauschzahl

-

Stromtest

10mA

Leistung - Leistung

2W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

Lieferantengerätepaket

PowerSO-10RF (Straight Lead)

BLF888B,112

Ampleon

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual), Common Source

Frequenz

860MHz

Gewinn

21dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.3A

Leistung - Leistung

250W

Spannung - Nennspannung

104V

Paket / Fall

SOT539A

Lieferantengerätepaket

SOT539A

ATF-55143-TR1

Broadcom

Hersteller

Broadcom Limited

Serie

-

Transistortyp

E-pHEMT

Frequenz

2GHz

Gewinn

17.7dB

Spannungstest

2.7V

Nennstrom (Ampere)

100mA

Rauschzahl

0.6dB

Stromtest

10mA

Leistung - Leistung

14.4dBm

Spannung - Nennspannung

5V

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

Lieferantengerätepaket

SOT-343

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