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BLF4G20S-110B,112

BLF4G20S-110B,112

Nur als Referenz

Teilenummer BLF4G20S-110B,112
PNEDA Teilenummer BLF4G20S-110B-112
Beschreibung FET RF 65V 1.99GHZ SOT502B
Hersteller NXP
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Auf Lager 5.256
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BLF4G20S-110B Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBLF4G20S-110B,112
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
BLF4G20S-110B, BLF4G20S-110B Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 121,46 KB)
PDFBLF4G20S-110B Datenblatt Cover
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BLF4G20S-110B Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz1.93GHz ~ 1.99GHz
Gewinn13.5dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)12A
Rauschzahl-
Stromtest700mA
Leistung - Leistung100W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallSOT-502B
LieferantengerätepaketSOT502B

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

1.8MHz ~ 400MHz

Gewinn

26.4dB

Spannungstest

65V

Nennstrom (Ampere)

10µA

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

600W

Spannung - Nennspannung

179V

Paket / Fall

NI780-4

Lieferantengerätepaket

NI-780-4

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

-

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

-

Paket / Fall

TO-261-4, TO-261AA

Lieferantengerätepaket

SOT-223

PD57002

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

960MHz

Gewinn

15dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

250mA

Rauschzahl

-

Stromtest

10mA

Leistung - Leistung

2W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

Lieferantengerätepaket

10-PowerSO

BLF245,112

Ampleon

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

N-Channel

Frequenz

175MHz

Gewinn

15.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

6A

Rauschzahl

2dB

Stromtest

50mA

Leistung - Leistung

30W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-123A

Lieferantengerätepaket

CRFM4

RFM03U3CT(TE12L)

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

N-Channel

Frequenz

520MHz

Gewinn

14.8dB

Spannungstest

3.6V

Nennstrom (Ampere)

3A

Rauschzahl

-

Stromtest

500mA

Leistung - Leistung

3W

Spannung - Nennspannung

16V

Paket / Fall

2-SMD, No Lead Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

RF-CST3

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