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RFM03U3CT(TE12L)

RFM03U3CT(TE12L)

Nur als Referenz

Teilenummer RFM03U3CT(TE12L)
PNEDA Teilenummer RFM03U3CT-TE12L
Beschreibung MOSFET N-CH RF-CST3
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

RFM03U3CT(TE12L) Ressourcen

Marke Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerRFM03U3CT(TE12L)
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF

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RFM03U3CT(TE12L) Technische Daten

HerstellerToshiba Semiconductor and Storage
Serie-
TransistortypN-Channel
Frequenz520MHz
Gewinn14.8dB
Spannungstest3.6V
Nennstrom (Ampere)3A
Rauschzahl-
Stromtest500mA
Leistung - Leistung3W
Spannung - Nennspannung16V
Paket / Fall2-SMD, No Lead Exposed Pad
LieferantengerätepaketRF-CST3

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Gewinn

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Spannungstest

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Nennstrom (Ampere)

18A

Rauschzahl

-

Stromtest

400mA

Leistung - Leistung

150W

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Frequenz

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Gewinn

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Spannungstest

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Rauschzahl

-

Stromtest

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Spannung - Nennspannung

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

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Frequenz

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Gewinn

15dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

1A

Rauschzahl

-

Stromtest

70mA

Leistung - Leistung

6W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

N-Channel JFET

Frequenz

100MHz

Gewinn

-

Spannungstest

15V

Nennstrom (Ampere)

15mA

Rauschzahl

1.5dB

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

30V

Paket / Fall

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Frequenz

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Gewinn

20dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

350W

Spannung - Nennspannung

125V

Paket / Fall

H-37265J-2

Lieferantengerätepaket

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