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BLF6G10-200RN,112

BLF6G10-200RN,112

Nur als Referenz

Teilenummer BLF6G10-200RN,112
PNEDA Teilenummer BLF6G10-200RN-112
Beschreibung RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502A
Hersteller Ampleon
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Auf Lager 8.478
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BLF6G10-200RN Ressourcen

Marke Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBLF6G10-200RN,112
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
BLF6G10-200RN, BLF6G10-200RN Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 1.031,5 KB)
PDFBLF6G10-200RN Datenblatt Cover
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BLF6G10-200RN Technische Daten

HerstellerAmpleon USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz871.5MHz ~ 891.5MHz
Gewinn20dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)49A
Rauschzahl-
Stromtest1.4A
Leistung - Leistung40W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallSOT-502A
LieferantengerätepaketLDMOST

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

N-Channel

Frequenz

2.32GHz

Gewinn

14.1dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

600mA

Leistung - Leistung

30W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-780-4

Lieferantengerätepaket

NI-780-4

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual), Common Source

Frequenz

2.11GHz ~ 2.17GHz

Gewinn

18dB

Spannungstest

32V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.3A

Leistung - Leistung

55W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-1120B

Lieferantengerätepaket

LDMOST

PTFA261301E V1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

GOLDMOS®

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.68GHz

Gewinn

13.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

10µA

Rauschzahl

-

Stromtest

1.4A

Leistung - Leistung

130W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

2-Flatpack, Fin Leads

Lieferantengerätepaket

H-30260-2

PTFA210601EV4R250FTMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.14GHz

Gewinn

16dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

10µA

Rauschzahl

-

Stromtest

550mA

Leistung - Leistung

12W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

H-36265-2

Lieferantengerätepaket

H-36265-2

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

460MHz

Gewinn

20dB

Spannungstest

3V

Nennstrom (Ampere)

350mA

Rauschzahl

-

Stromtest

300mA

Leistung - Leistung

28dbm

Spannung - Nennspannung

3V

Paket / Fall

4-SMD, Flat Leads

Lieferantengerätepaket

79A

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MAX333AEWP

MAX333AEWP

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B320A-13-F

B320A-13-F

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CDSOT23-T24CAN

CDSOT23-T24CAN

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ADM2484EBRWZ

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USB2642-I/ML

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WSL2010R0100FEA

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