BD6562FV-LBE2
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| Teilenummer | BD6562FV-LBE2 |
| PNEDA Teilenummer | BD6562FV-LBE2 |
| Beschreibung | IC DVR IGBT/MOSFET 2CH 16SSOP |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.142 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BD6562FV-LBE2 Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BD6562FV-LBE2 |
| Kategorie | Halbleiter › Energieverwaltungs-ICs › PMIC - Gate-Treiber |
| Datenblatt |
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BD6562FV-LBE2 Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| Angetriebene Konfiguration | Low-Side |
| Kanaltyp | Independent |
| Anzahl der Treiber | 2 |
| Gate-Typ | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| Spannung - Versorgung | 10V ~ 25V |
| Logikspannung - VIL, VIH | - |
| Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) | 600mA, 600mA |
| Eingabetyp | Non-Inverting |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | - |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | - |
| Betriebstemperatur | -25°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 16-LSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 16-SSOP-B |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Kanaltyp 3-Phase Anzahl der Treiber 6 Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 10V ~ 20V Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2.2V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 250mA, 500mA Eingabetyp Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 600V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 90ns, 40ns Betriebstemperatur 125°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 28-DIP (0.600", 15.24mm) Lieferantengerätepaket 28-PDIP |
Hersteller Renesas Electronics America Inc. Serie - Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Kanaltyp Independent Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 8V ~ 14V Logikspannung - VIL, VIH 1.4V, 2.2V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 3A, 4A Eingabetyp Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 114V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 9ns, 7.5ns Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
Hersteller Monolithic Power Systems Inc. Serie - Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Kanaltyp Independent Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 9V ~ 16V Logikspannung - VIL, VIH 1V, 2.4V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 4A, 4A Eingabetyp Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 118V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 15ns, 12ns Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 10-VDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 10-QFN (4x4) |
Hersteller Microchip Technology Serie - Angetriebene Konfiguration High-Side or Low-Side Kanaltyp Independent Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ IGBT Spannung - Versorgung 4.5V ~ 18V Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 3A, 3A Eingabetyp Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 12ns, 12ns Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-WFDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 8-TDFN (2x3) |
