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IR2122

IR2122

Nur als Referenz

Teilenummer IR2122
PNEDA Teilenummer IR2122
Beschreibung IC MOSFET DRIVER HIGH-SIDE 8-DIP
Hersteller Infineon Technologies
Stückpreis
1 ---------- $2.153,1487
50 ---------- $2.052,2198
100 ---------- $1.951,2910
200 ---------- $1.850,3621
400 ---------- $1.766,2548
500 ---------- $1.682,1474
Auf Lager 2.801
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IR2122 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIR2122
KategorieHalbleiterEnergieverwaltungs-ICsPMIC - Gate-Treiber
Datenblatt
IR2122, IR2122 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 148,29 KB)
PDFIR2122 Datenblatt Cover
IR2122 Datenblatt Seite 2 IR2122 Datenblatt Seite 3 IR2122 Datenblatt Seite 4 IR2122 Datenblatt Seite 5 IR2122 Datenblatt Seite 6

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IR2122 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
Angetriebene KonfigurationHigh-Side
KanaltypSingle
Anzahl der Treiber1
Gate-TypIGBT, N-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung13V ~ 20V
Logikspannung - VIL, VIH0.8V, 3V
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)130mA, 130mA
EingabetypInverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)600V
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)250ns, 250ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall8-DIP (0.300", 7.62mm)
Lieferantengerätepaket8-PDIP

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Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

7.5V ~ 16V

Logikspannung - VIL, VIH

2.4V, 9.6V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

6A, 6A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

20ns, 20ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-SOIC-EP

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Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel, P-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 18V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

3A, 3A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

23ns, 25ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-VDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-DFN-S (6x5)

EMB1412MYE/NOPB

Texas Instruments

Hersteller

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Single

Anzahl der Treiber

1

Gate-Typ

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

3.5V ~ 14V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.3V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

3A, 7A

Eingabetyp

Inverting, Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

14ns, 12ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-MSOP-PowerPad

LM5101CMYX/NOPB

Texas Instruments

Hersteller

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

9V ~ 14V

Logikspannung - VIL, VIH

2.3V, -

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

1A, 1A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

118V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

990ns, 715ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

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Angetriebene Konfiguration

-

Kanaltyp

-

Anzahl der Treiber

-

Gate-Typ

-

Spannung - Versorgung

-

Logikspannung - VIL, VIH

-

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

-

Eingabetyp

-

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

8-PDIP

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