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AS4C64M16D3L-12BIN

AS4C64M16D3L-12BIN

Nur als Referenz

Teilenummer AS4C64M16D3L-12BIN
PNEDA Teilenummer AS4C64M16D3L-12BIN
Beschreibung IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA
Hersteller Alliance Memory, Inc.
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AS4C64M16D3L-12BIN Ressourcen

Marke Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAS4C64M16D3L-12BIN
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
AS4C64M16D3L-12BIN, AS4C64M16D3L-12BIN Datenblatt (Total Pages: 90, Größe: 2.167,77 KB)
PDFAS4C64M16D3L-12BINTR Datenblatt Cover
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AS4C64M16D3L-12BIN Technische Daten

HerstellerAlliance Memory, Inc.
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM - DDR3L
Speichergröße1Gb (64M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz800MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite15ns
Zugriffszeit20ns
Spannung - Versorgung1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur-40°C ~ 95°C (TC)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall96-VFBGA
Lieferantengerätepaket96-FBGA (8x13)

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Parallel

Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

12ns

Zugriffszeit

5.5ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

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-

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Speichergröße

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Parallel

Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

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Speichertyp

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

400MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

0°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

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Serie

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Speichertyp

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Speicherformat

FLASH

Technologie

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Speichergröße

256Mb (16M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

60ns

Zugriffszeit

90ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

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Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

16Mb (1M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

8ns

Zugriffszeit

8ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

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Paket / Fall

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