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AT27C256R-15RC

AT27C256R-15RC

Nur als Referenz

Teilenummer AT27C256R-15RC
PNEDA Teilenummer AT27C256R-15RC
Beschreibung IC EPROM 256K PARALLEL 28SOIC
Hersteller Microchip Technology
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Auf Lager 5.796
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 9 - Nov 14 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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AT27C256R-15RC Ressourcen

Marke Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAT27C256R-15RC
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
AT27C256R-15RC, AT27C256R-15RC Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 177,28 KB)
PDFAT27C256R-45RU Datenblatt Cover
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AT27C256R-15RC Technische Daten

HerstellerMicrochip Technology
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatEPROM
TechnologieEPROM - OTP
Speichergröße256Kb (32K x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit150ns
Spannung - Versorgung4.5V ~ 5.5V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TC)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall28-SOIC (0.342", 8.69mm Width)
Lieferantengerätepaket28-SOIC

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

16Mb (2M x 8)

Speicherschnittstelle

SPI - Quad I/O

Taktfrequenz

104MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

1.5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

-

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

Wafer

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Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

512Kb (64K x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

1MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

900ns

Spannung - Versorgung

1.8V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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MT61K512M32KPA-14:B

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SGRAM - GDDR6

Speichergröße

16Gb (512M x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

7GHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.31V ~ 1.391V

Betriebstemperatur

0°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

180-TFBGA

Lieferantengerätepaket

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MT41K512M4DA-125:K TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR3L

Speichergröße

2Gb (512M x 4)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

800MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

13.75ns

Spannung - Versorgung

1.283V ~ 1.45V

Betriebstemperatur

0°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

78-TFBGA

Lieferantengerätepaket

78-FBGA (8x10.5)

IS66WV51216DBLL-55BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

PSRAM

Technologie

PSRAM (Pseudo SRAM)

Speichergröße

8Mb (512K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

55ns

Zugriffszeit

55ns

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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