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IS61VF102418A-7.5B3I

IS61VF102418A-7.5B3I

Nur als Referenz

Teilenummer IS61VF102418A-7.5B3I
PNEDA Teilenummer IS61VF102418A-7-5B3I
Beschreibung IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS61VF102418A-7.5B3I Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS61VF102418A-7.5B3I
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS61VF102418A-7.5B3I, IS61VF102418A-7.5B3I Datenblatt (Total Pages: 35, Größe: 298,4 KB)
PDFIS61VF51236A-7.5B3I Datenblatt Cover
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IS61VF102418A-7.5B3I Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße18Mb (1M x 18)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz117MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit7.5ns
Spannung - Versorgung2.375V ~ 2.625V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall165-TBGA
Lieferantengerätepaket165-TFBGA (13x15)

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Parallel

Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

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Surface Mount

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165-LBGA

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

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Speicherformat

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Technologie

EEPROM

Speichergröße

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Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ms

Zugriffszeit

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Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Montagetyp

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

S70GL02GS11FHA013

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

GL-S

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

2Gb (128M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

110ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

64-LBGA

Lieferantengerätepaket

64-FBGA (13x11)

7132LA25J

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

16Kb (2K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

25ns

Zugriffszeit

25ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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