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APT40GP90JDQ2

APT40GP90JDQ2

Nur als Referenz

Teilenummer APT40GP90JDQ2
PNEDA Teilenummer APT40GP90JDQ2
Beschreibung IGBT 900V 64A 284W SOT227
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 3.726
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 24 - Nov 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

APT40GP90JDQ2 Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPT40GP90JDQ2
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module

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APT40GP90JDQ2 Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
SeriePOWER MOS 7®
IGBT-TypPT
KonfigurationSingle
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)900V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)64A
Leistung - max284W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.9V @ 15V, 40A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)350µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce3.3nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorNo
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallISOTOP
LieferantengerätepaketISOTOP®

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Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

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IGBT-Typ

Trench

Konfiguration

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

134A

Leistung - max

463W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.85V @ 15V, 100A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SOT-227-4, miniBLOC

Lieferantengerätepaket

SOT-227

APTGT600DU60G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

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IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Dual, Common Source

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

700A

Leistung - max

2300W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 600A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

750µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

49nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP6

Lieferantengerätepaket

SP6

APTGT75SK120D1G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

110A

Leistung - max

357W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 75A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

4mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

5345nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

D1

Lieferantengerätepaket

D1

CM100BU-12H

Powerex Inc.

Hersteller

Powerex Inc.

Serie

IGBTMOD™

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Full Bridge Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Leistung - max

400W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 100A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

8.8nF @ 10V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

APTGT450DU60G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Dual, Common Source

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

550A

Leistung - max

1750W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 450A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

37nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

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