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VS-GT300FD060N

VS-GT300FD060N

Nur als Referenz

Teilenummer VS-GT300FD060N
PNEDA Teilenummer VS-GT300FD060N
Beschreibung IGBT 600V 379A 1250W DIAP
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 4.302
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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VS-GT300FD060N Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerVS-GT300FD060N
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
VS-GT300FD060N, VS-GT300FD060N Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 361,88 KB)
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VS-GT300FD060N Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
KonfigurationThree Level Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)379A
Leistung - max1250W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 300A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)250µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce23.3nF @ 30V
EingabeStandard
NTC-ThermistorNo
Betriebstemperatur175°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallDual INT-A-PAK (4 + 8)
LieferantengerätepaketDual INT-A-PAK

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

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IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

450A

Leistung - max

20mW

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 225A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

3mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

13nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

VS-GB50NA120UX

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

84A

Leistung - max

431W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 50A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SOT-227-4, miniBLOC

Lieferantengerätepaket

SOT-227

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Dual Buck Chopper

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Leistung - max

208W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 25A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

1.65nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP3

Lieferantengerätepaket

SP3

FS50R07N2E4BOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Full Bridge Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70A

Leistung - max

190W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 50A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

3.1nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

VS-GB200TH120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

360A

Leistung - max

1136W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 200A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

14.9nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Double INT-A-PAK (3 + 4)

Lieferantengerätepaket

Double INT-A-PAK

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