APT25GP120BG
Nur als Referenz
Teilenummer | APT25GP120BG |
PNEDA Teilenummer | APT25GP120BG |
Beschreibung | IGBT 1200V 69A 417W TO247 |
Hersteller | Microsemi |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 4.968 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Dez 31 - Jan 5 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
APT25GP120BG Ressourcen
Marke | Microsemi |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | APT25GP120BG |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- APT25GP120BG Datasheet
- where to find APT25GP120BG
- Microsemi
- Microsemi APT25GP120BG
- APT25GP120BG PDF Datasheet
- APT25GP120BG Stock
- APT25GP120BG Pinout
- Datasheet APT25GP120BG
- APT25GP120BG Supplier
- Microsemi Distributor
- APT25GP120BG Price
- APT25GP120BG Distributor
APT25GP120BG Technische Daten
Hersteller | Microsemi Corporation |
Serie | POWER MOS 7® |
IGBT-Typ | PT |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 69A |
Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 90A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 25A |
Leistung - max | 417W |
Schaltenergie | 500µJ (on), 438µJ (off) |
Eingabetyp | Standard |
Gate Charge | 110nC |
Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 12ns/70ns |
Testbedingung | 600V, 25A, 5Ohm, 15V |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-247-3 |
Lieferantengerätepaket | TO-247 [B] |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
IXYS Hersteller IXYS Serie XPT™, GenX3™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 132A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 250A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 36A Leistung - max 600W Schaltenergie 800µJ (on), 800µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 86nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 20ns/90ns Testbedingung 400V, 36A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 36ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |
Infineon Technologies Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 6.8A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 27A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 5A Leistung - max 25W Schaltenergie 140µJ (on), 120µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 15nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 40ns/87ns Testbedingung 480V, 5A, 100Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 28ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220AB Full-Pak |
STMicroelectronics Hersteller STMicroelectronics Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 30A Leistung - max 58W Schaltenergie 383µJ (on), 233µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 163nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 45ns/189ns Testbedingung 400V, 30A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 53ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-3PF |
Renesas Electronics America Hersteller Renesas Electronics America Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 75A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 37A Leistung - max 45W Schaltenergie 650µJ (on), 270µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 78nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 50ns/135ns Testbedingung 300V, 37A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 100ns Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3PFM, SC-93-3 Lieferantengerätepaket TO-3PFM |
IXYS Hersteller IXYS Serie GenX3™, XPT™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 900V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 310A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 840A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 140A Leistung - max 1630W Schaltenergie 4.3mJ (on), 4mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 330nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 40ns/145ns Testbedingung 450V, 100A, 1Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket TO-264 (IXYK) |