APT25GP120BDQ1G
Nur als Referenz
| Teilenummer | APT25GP120BDQ1G | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | APT25GP120BDQ1G | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | IGBT 1200V 69A 417W TO247 | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Microsemi | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 493 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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APT25GP120BDQ1G Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APT25GP120BDQ1G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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APT25GP120BDQ1G Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | POWER MOS 7® |
| IGBT-Typ | PT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 69A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 90A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 25A |
| Leistung - max | 417W |
| Schaltenergie | 500µJ (on), 440µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 110nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 12ns/70ns |
| Testbedingung | 600V, 25A, 5Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 [B] |
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Hersteller Infineon Technologies Serie TrenchStop® IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 16A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 24A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 10A Leistung - max 138W Schaltenergie 1.46mJ Eingabetyp Standard Gate Charge 53nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 45ns/520ns Testbedingung 610V, 10A, 81Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 115ns Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket PG-TO220-3 |
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