APT200GN60B2G
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| Teilenummer | APT200GN60B2G |
| PNEDA Teilenummer | APT200GN60B2G |
| Beschreibung | IGBT 600V 283A 682W TO247 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.336 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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APT200GN60B2G Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APT200GN60B2G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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APT200GN60B2G Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 283A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 600A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.85V @ 15V, 200A |
| Leistung - max | 682W |
| Schaltenergie | 13mJ (on), 11mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 1180nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 50ns/560ns |
| Testbedingung | 400V, 200A, 1Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | - |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 31A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 17A Leistung - max 100W Schaltenergie 230µJ (on), 1.18mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 51nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 21ns/200ns Testbedingung 480V, 17A, 23Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
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