IHW50N65R5XKSA1
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| Teilenummer | IHW50N65R5XKSA1 |
| PNEDA Teilenummer | IHW50N65R5XKSA1 |
| Beschreibung | IGBT 650V 80A 282W TO247 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.232 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 1 - Dez 6 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IHW50N65R5XKSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IHW50N65R5XKSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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IHW50N65R5XKSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | TrenchStop® |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 80A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 150A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.7V @ 15V, 50A |
| Leistung - max | 282W |
| Schaltenergie | 740µJ (on), 180µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 230nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 26ns/220ns |
| Testbedingung | 400V, 25A, 8Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 95ns |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO247-3 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 8A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 16A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.05V @ 15V, 4A Leistung - max 56W Schaltenergie 35µJ (on), 75µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 9nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 25ns/65ns Testbedingung 400V, 4A, 100Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 55ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
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Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1300V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 63A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 125A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 20A Leistung - max 250W Schaltenergie 3.4mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 127nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. -/284ns Testbedingung 960V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-3P |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 42A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 84A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 25A Leistung - max 160W Schaltenergie 950µJ (on), 760µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 120nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 53ns/110ns Testbedingung 480V, 25A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 42ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
