APT15GT60BRG
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| Teilenummer | APT15GT60BRG |
| PNEDA Teilenummer | APT15GT60BRG |
| Beschreibung | IGBT 600V 42A 184W TO247 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.186 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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APT15GT60BRG Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APT15GT60BRG |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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APT15GT60BRG Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | Thunderbolt IGBT® |
| IGBT-Typ | NPT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 42A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 45A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 15A |
| Leistung - max | 184W |
| Schaltenergie | 150µJ (on), 215µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 75nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 6ns/105ns |
| Testbedingung | 400V, 15A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 [B] |
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Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 10A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 20A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 7A Leistung - max 55W Schaltenergie 3.2µJ (on), 15mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 29nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 570ns/- Testbedingung 960V, 7A, 1kOhm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket DPAK |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 14A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 18A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 8A Leistung - max 38W Schaltenergie 310µJ (on), 3.28mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 15nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 76ns/815ns Testbedingung 480V, 8A, 100Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 28ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 93A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 195A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.15V @ 15V, 50A Leistung - max 415W Schaltenergie 755µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 235nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 16ns/225ns Testbedingung 400V, 50A, 4.7Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |
Hersteller IXYS Serie GenX3™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 75A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 360A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 50A Leistung - max 540W Schaltenergie 1.03mJ (on), 480µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 174nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 27ns/77ns Testbedingung 480V, 50A, 2Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 140ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PLUS247™-3 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 30A Leistung - max 463W Schaltenergie 260µJ (on), 250µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 90nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 13ns/55ns Testbedingung 400V, 30A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket TO-264 |
