Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

APL602J

APL602J

Nur als Referenz

Teilenummer APL602J
PNEDA Teilenummer APL602J
Beschreibung MOSFET N-CH 600V 43A SOT-227
Hersteller Microsemi
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 3.960
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Apr 21 - Apr 26 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

APL602J Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPL602J
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • APL602J Datasheet
  • where to find APL602J
  • Microsemi

  • Microsemi APL602J
  • APL602J PDF Datasheet
  • APL602J Stock

  • APL602J Pinout
  • Datasheet APL602J
  • APL602J Supplier

  • Microsemi Distributor
  • APL602J Price
  • APL602J Distributor

APL602J Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.43A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs125mOhm @ 21.5A, 12V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds9000pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)565W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
LieferantengerätepaketISOTOP®
Paket / FallSOT-227-4, miniBLOC

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

ZXMP2120E5TA

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

122mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

28Ohm @ 150mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

100pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

750mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-23-5

Paket / Fall

SC-74A, SOT-753

PSMN3R9-60PSQ

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

130A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.9mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

103nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5600pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

263W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3

IRFS4127PBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

72A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 44A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

150nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5380pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

375W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IRFU3707PBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

61A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

19nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1990pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

87W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

IPAK (TO-251)

Paket / Fall

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

IPSA70R900P7SAKMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™ P7

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

700V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

900mOhm @ 1.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 60µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.8nC @ 400V

Vgs (Max)

±16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

211pF @ 400V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

30.5W (Tc)

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO251-3

Paket / Fall

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Kürzlich verkauft

MMBTA42LT3G

MMBTA42LT3G

ON Semiconductor

TRANS NPN 300V 0.5A SOT-23

EA DOGS102B-6

EA DOGS102B-6

Display Visions

LCD MOD GRAPH 102X64 BLUE

TCMT4100

TCMT4100

Vishay Semiconductor Opto Division

OPTOISO 3.75KV 4CH TRANS 16-SOP

MMSZ4683T1G

MMSZ4683T1G

ON Semiconductor

DIODE ZENER 3V 500MW SOD123

ZHCS1000TA

ZHCS1000TA

Diodes Incorporated

DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOT23-3

AS5163-HTSM

AS5163-HTSM

ams

SENSOR ANGLE 360DEG SMD

ATTINY816-MN

ATTINY816-MN

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 8KB FLASH 20QFN

SRV05-4.TCT

SRV05-4.TCT

Semtech

TVS DIODE 5V 17.5V SOT23-6

FGH40N60SMD

FGH40N60SMD

ON Semiconductor

IGBT 600V 80A 349W TO-247-3

MAX6710JUT+T

MAX6710JUT+T

Maxim Integrated

IC SUPERVISOR MPU SOT23-6

MF-USMF050-2

MF-USMF050-2

Bourns

PTC RESET FUSE 13.2V 500MA 1210

HSMF-C165

HSMF-C165

Broadcom

LED GREEN/RED DIFFUSED 0603 SMD