IRFU3707PBF
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Teilenummer | IRFU3707PBF |
PNEDA Teilenummer | IRFU3707PBF |
Beschreibung | MOSFET N-CH 30V 61A I-PAK |
Hersteller | Infineon Technologies |
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IRFU3707PBF Ressourcen
Marke | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | IRFU3707PBF |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt |
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IRFU3707PBF Technische Daten
Hersteller | Infineon Technologies |
Serie | HEXFET® |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 61A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1990pF @ 15V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 87W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montagetyp | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | IPAK (TO-251) |
Paket / Fall | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
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ON Semiconductor Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ - Technologie - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Lieferantengerätepaket - Paket / Fall - |
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