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AOK40B60D

AOK40B60D

Nur als Referenz

Teilenummer AOK40B60D
PNEDA Teilenummer AOK40B60D
Beschreibung IGBT 600V 80A 312.5W TO247
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor
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Auf Lager 5.634
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

AOK40B60D Ressourcen

Marke Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAOK40B60D
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
AOK40B60D, AOK40B60D Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 718,16 KB)
PDFAOK40B60D Datenblatt Cover
AOK40B60D Datenblatt Seite 2 AOK40B60D Datenblatt Seite 3 AOK40B60D Datenblatt Seite 4 AOK40B60D Datenblatt Seite 5 AOK40B60D Datenblatt Seite 6 AOK40B60D Datenblatt Seite 7 AOK40B60D Datenblatt Seite 8 AOK40B60D Datenblatt Seite 9

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AOK40B60D Technische Daten

HerstellerAlpha & Omega Semiconductor Inc.
SerieAlpha IGBT™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)80A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)160A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 40A
Leistung - max312.5W
Schaltenergie1.72mJ (on), 300µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge63.5nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.28ns/77ns
Testbedingung400V, 40A, 7.5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)138ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1000V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

85A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

90A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 30A

Leistung - max

320W

Schaltenergie

2.11mJ (on), 1.18mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

157nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/229ns

Testbedingung

600V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

153ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD

RJH60F3DPQ-A0#T0

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.82V @ 15V, 20A

Leistung - max

178.5W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

44ns/65ns

Testbedingung

400V, 30A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

90ns

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247A

IRG7PSH50UDPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

116A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 50A

Leistung - max

462W

Schaltenergie

3.6mJ (on), 2.2mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

440nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

35ns/430ns

Testbedingung

600V, 50A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

190ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

SUPER-247™ (TO-274AA)

STGWT20IH125DF

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1250V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 15A

Leistung - max

259W

Schaltenergie

410µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

68nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/106ns

Testbedingung

600V, 15A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3P

IRGP35B60PDPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.55V @ 15V, 35A

Leistung - max

308W

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Gate Charge

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Td (ein / aus) bei 25 ° C.

26ns/110ns

Testbedingung

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Reverse Recovery Time (trr)

42ns

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