AO4619
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| Teilenummer | AO4619 |
| PNEDA Teilenummer | AO4619 |
| Beschreibung | MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC |
| Hersteller | Alpha & Omega Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.840 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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AO4619 Ressourcen
| Marke | Alpha & Omega Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | AO4619 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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AO4619 Technische Daten
| Hersteller | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
| Serie | - |
| FET-Typ | N and P-Channel |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 7.4A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.6V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.2nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 448pF @ 15V |
| Leistung - max | 2W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOIC |
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Hersteller Renesas Electronics America Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual), Schottky FET-Funktion Logic Level Gate, 4.5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.7Ohm @ 100mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 20pF @ 10V Leistung - max 200mW (Ta) Betriebstemperatur 150°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket SC-88 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 15A Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.6mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1380pF @ 15V Leistung - max 2.7W Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DirectFET™ Isometric MA Lieferantengerätepaket DIRECTFET™ MA |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs 39mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 540pF @ 25V Leistung - max 3.2W Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
