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UPA672CT-T1-AT

UPA672CT-T1-AT

Nur als Referenz

Teilenummer UPA672CT-T1-AT
PNEDA Teilenummer UPA672CT-T1-AT
Beschreibung MOSFET N-CH SC-88
Hersteller Renesas Electronics America
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UPA672CT-T1-AT Ressourcen

Marke Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerUPA672CT-T1-AT
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
UPA672CT-T1-AT, UPA672CT-T1-AT Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 157,89 KB)
PDFUPA672CT-T1-AT Datenblatt Cover
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UPA672CT-T1-AT Technische Daten

HerstellerRenesas Electronics America
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual), Schottky
FET-FunktionLogic Level Gate, 4.5V Drive
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.7Ohm @ 100mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds20pF @ 10V
Leistung - max200mW (Ta)
Betriebstemperatur150°C
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-TSSOP, SC-88, SOT-363
LieferantengerätepaketSC-88

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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 2.5A, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 200µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.5nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

780pF @ 10V

Leistung - max

450mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOP (5.5x6.0)

PMGD175XNEAX

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

900mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

252mOhm @ 900mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.25V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.65nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

81pF @ 15V

Leistung - max

390mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

6-TSSOP

IRF7754TRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 5.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1984pF @ 6V

Leistung - max

1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-TSSOP

IRF8910TRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13.4mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.55V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

960pF @ 10V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

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Vishay Siliconix

Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.9mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

120nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5900pF @ 20V

Leistung - max

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Betriebstemperatur

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Montagetyp

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