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AO4614B_101

AO4614B_101

Nur als Referenz

Teilenummer AO4614B_101
PNEDA Teilenummer AO4614B_101
Beschreibung MOSFET N/P-CH 40V 6A/5A 8SOIC
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor
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Auf Lager 3.510
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 26 - Dez 1 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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AO4614B_101 Ressourcen

Marke Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAO4614B_101
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
AO4614B_101, AO4614B_101 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 233,34 KB)
PDFAO4614BL_103 Datenblatt Cover
AO4614BL_103 Datenblatt Seite 2 AO4614BL_103 Datenblatt Seite 3 AO4614BL_103 Datenblatt Seite 4 AO4614BL_103 Datenblatt Seite 5 AO4614BL_103 Datenblatt Seite 6 AO4614BL_103 Datenblatt Seite 7

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AO4614B_101 Technische Daten

HerstellerAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie-
FET-TypN and P-Channel
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.6A, 5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs30mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10.8nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds650pF @ 20V
Leistung - max2W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SO

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

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FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.2A, 4.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 2.6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

700mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

660pF @ 15V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

4 N-Channel (H-Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

51A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

78mOhm @ 25.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

140nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7000pF @ 25V

Leistung - max

390W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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Serie

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FET-Typ

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FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9.2A (Ta), 33.2A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

19mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

864pF @ 30V

Leistung - max

2.5W (Ta), 37.5W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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FDME1034CZT

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.8A, 2.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

66mOhm @ 3.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.2nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

300pF @ 10V

Leistung - max

600mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9.1A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

460pF @ 15V

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