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AFT09S200W02GNR3

AFT09S200W02GNR3

Nur als Referenz

Teilenummer AFT09S200W02GNR3
PNEDA Teilenummer AFT09S200W02GNR3
Beschreibung FET RF 70V 960MHZ PLD
Hersteller NXP
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Auf Lager 3.006
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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AFT09S200W02GNR3 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAFT09S200W02GNR3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
AFT09S200W02GNR3, AFT09S200W02GNR3 Datenblatt (Total Pages: 19, Größe: 856,97 KB)
PDFAFT09S200W02NR3 Datenblatt Cover
AFT09S200W02NR3 Datenblatt Seite 2 AFT09S200W02NR3 Datenblatt Seite 3 AFT09S200W02NR3 Datenblatt Seite 4 AFT09S200W02NR3 Datenblatt Seite 5 AFT09S200W02NR3 Datenblatt Seite 6 AFT09S200W02NR3 Datenblatt Seite 7 AFT09S200W02NR3 Datenblatt Seite 8 AFT09S200W02NR3 Datenblatt Seite 9 AFT09S200W02NR3 Datenblatt Seite 10 AFT09S200W02NR3 Datenblatt Seite 11

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AFT09S200W02GNR3 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz960MHz
Gewinn19.2dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest1.4A
Leistung - Leistung56W
Spannung - Nennspannung70V
Paket / FallOM-780-2G
LieferantengerätepaketOM-780-2 Gull

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Hersteller

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Serie

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Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.68GHz

Gewinn

13.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

10µA

Rauschzahl

-

Stromtest

1.4A

Leistung - Leistung

130W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

2-Flatpack, Fin Leads

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

N-Channel JFET

Frequenz

1kHz

Gewinn

-

Spannungstest

5V

Nennstrom (Ampere)

50mA

Rauschzahl

1dB

Stromtest

1mA

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

15V

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

3-CP

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

860MHz

Gewinn

22dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

350mA

Leistung - Leistung

18W

Spannung - Nennspannung

110V

Paket / Fall

TO-272BB

Lieferantengerätepaket

TO-272 WB-4

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

HFET

Frequenz

12GHz

Gewinn

13dB

Spannungstest

2V

Nennstrom (Ampere)

15mA

Rauschzahl

0.5dB

Stromtest

10mA

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

4V

Paket / Fall

4-SMD

Lieferantengerätepaket

SMD

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

512MHz

Gewinn

25.9dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

10mA

Leistung - Leistung

25W

Spannung - Nennspannung

133V

Paket / Fall

NI-360

Lieferantengerätepaket

NI-360

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