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MMRF1312HR5

MMRF1312HR5

Nur als Referenz

Teilenummer MMRF1312HR5
PNEDA Teilenummer MMRF1312HR5
Beschreibung TRANS 900-1215MHZ 1000W PEAK 50V
Hersteller NXP
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Auf Lager 2.916
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 25 - Jan 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MMRF1312HR5 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMMRF1312HR5
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MMRF1312HR5, MMRF1312HR5 Datenblatt (Total Pages: 15, Größe: 422,79 KB)
PDFMMRF1312GSR5 Datenblatt Cover
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MMRF1312HR5 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS (Dual)
Frequenz1.03GHz
Gewinn19.6dB
Spannungstest50V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest100mA
Leistung - Leistung1000W
Spannung - Nennspannung112V
Paket / FallSOT-979A
LieferantengerätepaketNI-1230-4H

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

-

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

-

Paket / Fall

TO-261-4, TO-261AA

Lieferantengerätepaket

SOT-223

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

N-Channel Dual Gate

Frequenz

800MHz

Gewinn

20dB

Spannungstest

9V

Nennstrom (Ampere)

30mA

Rauschzahl

1.5dB

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

11V

Paket / Fall

SOT-143R

Lieferantengerätepaket

SOT-143R

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.8MHz ~ 500MHz

Gewinn

23dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

10µA

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

133V

Paket / Fall

OM-1230-4L

Lieferantengerätepaket

OM-1230-4L

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

N-Channel

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

10mA

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

3V

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

TO-236AB (SOT23)

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

450MHz

Gewinn

20dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

150mA

Leistung - Leistung

1000W

Spannung - Nennspannung

110V

Paket / Fall

NI-1230S

Lieferantengerätepaket

NI-1230S

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