MMRF1312GSR5 Datenblatt
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NXP















Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp LDMOS (Dual) Frequenz 1.03GHz Gewinn 19.6dB Spannungstest 50V Nennstrom (Ampere) - Rauschzahl - Stromtest 100mA Leistung - Leistung 1000W Spannung - Nennspannung 112V Paket / Fall NI-1230-4S GW Lieferantengerätepaket NI-1230-4S GULL |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp LDMOS (Dual) Frequenz 1.034GHz Gewinn 19.6dB Spannungstest 50V Nennstrom (Ampere) - Rauschzahl - Stromtest 100mA Leistung - Leistung 1000W Spannung - Nennspannung 112V Paket / Fall NI-1230-4S Lieferantengerätepaket NI-1230-4S |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp LDMOS (Dual) Frequenz 1.03GHz Gewinn 19.6dB Spannungstest 50V Nennstrom (Ampere) - Rauschzahl - Stromtest 100mA Leistung - Leistung 1000W Spannung - Nennspannung 112V Paket / Fall SOT-979A Lieferantengerätepaket NI-1230-4H |