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NE4210S01-T1B

NE4210S01-T1B

Nur als Referenz

Teilenummer NE4210S01-T1B
PNEDA Teilenummer NE4210S01-T1B
Beschreibung HJ-FET 13DB S01
Hersteller CEL
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Auf Lager 5.742
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 31 - Jan 5 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

NE4210S01-T1B Ressourcen

Marke CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNE4210S01-T1B
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
NE4210S01-T1B, NE4210S01-T1B Datenblatt (Total Pages: 15, Größe: 1.396,07 KB)
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NE4210S01-T1B Technische Daten

HerstellerCEL
Serie-
TransistortypHFET
Frequenz12GHz
Gewinn13dB
Spannungstest2V
Nennstrom (Ampere)15mA
Rauschzahl0.5dB
Stromtest10mA
Leistung - Leistung-
Spannung - Nennspannung4V
Paket / Fall4-SMD
LieferantengerätepaketSMD

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Ampleon

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.11GHz ~ 2.17GHz

Gewinn

17.7dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

2.4A

Leistung - Leistung

80W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-502B

Lieferantengerätepaket

SOT502B

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

465MHz

Gewinn

23dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.1A

Leistung - Leistung

25W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

TO-270AB

Lieferantengerätepaket

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BLF574,112

Ampleon

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual), Common Source

Frequenz

225MHz

Gewinn

26.5dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

56A

Rauschzahl

-

Stromtest

1A

Leistung - Leistung

400W

Spannung - Nennspannung

110V

Paket / Fall

SOT539A

Lieferantengerätepaket

SOT539A

PTFA180701FV4FWSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.84GHz

Gewinn

16.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

10µA

Rauschzahl

-

Stromtest

550mA

Leistung - Leistung

60W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

2-Flatpack, Fin Leads, Flanged

Lieferantengerätepaket

H-37265-2

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.99GHz

Gewinn

17.2dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.4A

Leistung - Leistung

50W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-880S

Lieferantengerätepaket

NI-880S

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