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A2T26H160-24SR3

A2T26H160-24SR3

Nur als Referenz

Teilenummer A2T26H160-24SR3
PNEDA Teilenummer A2T26H160-24SR3
Beschreibung FET RF 2CH 65V 2.58GHZ
Hersteller NXP
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Auf Lager 3.150
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 29 - Jan 3 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

A2T26H160-24SR3 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerA2T26H160-24SR3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
A2T26H160-24SR3, A2T26H160-24SR3 Datenblatt (Total Pages: 17, Größe: 599,13 KB)
PDFA2T26H160-24SR3 Datenblatt Cover
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A2T26H160-24SR3 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS (Dual)
Frequenz2.58GHz
Gewinn15.5dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest350mA
Leistung - Leistung28W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallNI-780S-4L2L
LieferantengerätepaketNI-780S-4L2L

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Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.11GHz ~ 2.18GHz

Gewinn

18.1dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

2.8µA

Rauschzahl

-

Stromtest

700mA

Leistung - Leistung

120W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-1271-2

Lieferantengerätepaket

SOT1271-2

BLF548,112

Ampleon

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

2 N-Channel (Dual) Common Source

Frequenz

500MHz

Gewinn

11dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

15A

Rauschzahl

-

Stromtest

160mA

Leistung - Leistung

150W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-262A2

Lieferantengerätepaket

CDFM4

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual), Common Source

Frequenz

2.5GHz ~ 2.69GHz

Gewinn

14dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

500mA

Leistung - Leistung

56W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-1252-1

Lieferantengerätepaket

DFM8

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

2.03GHz

Gewinn

16dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

400mA

Leistung - Leistung

20W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-780S-4

Lieferantengerätepaket

NI-780S-4

CE3512K2

CEL

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

pHEMT FET

Frequenz

12GHz

Gewinn

13.7dB

Spannungstest

2V

Nennstrom (Ampere)

15mA

Rauschzahl

0.5dB

Stromtest

10mA

Leistung - Leistung

125mW

Spannung - Nennspannung

4V

Paket / Fall

4-Micro-X

Lieferantengerätepaket

4-Micro-X

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