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CE3512K2

CE3512K2

Nur als Referenz

Teilenummer CE3512K2
PNEDA Teilenummer CE3512K2
Beschreibung RF FET 4V 12GHZ 4MICROX
Hersteller CEL
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Auf Lager 19.494
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 24 - Nov 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

CE3512K2 Ressourcen

Marke CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCE3512K2
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
CE3512K2, CE3512K2 Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 426,11 KB)
PDFCE3512K2-C1 Datenblatt Cover
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CE3512K2 Technische Daten

HerstellerCEL
Serie-
TransistortyppHEMT FET
Frequenz12GHz
Gewinn13.7dB
Spannungstest2V
Nennstrom (Ampere)15mA
Rauschzahl0.5dB
Stromtest10mA
Leistung - Leistung125mW
Spannung - Nennspannung4V
Paket / Fall4-Micro-X
Lieferantengerätepaket4-Micro-X

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

880MHz

Gewinn

21.4dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

450mA

Leistung - Leistung

14W

Spannung - Nennspannung

68V

Paket / Fall

TO-272BC

Lieferantengerätepaket

TO-272-2

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

3.1GHz ~ 3.5GHz

Gewinn

15.5dB

Spannungstest

32V

Nennstrom (Ampere)

2.1A

Rauschzahl

-

Stromtest

50mA

Leistung - Leistung

20W

Spannung - Nennspannung

60V

Paket / Fall

SOT-608A

Lieferantengerätepaket

CDFM2

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

880MHz

Gewinn

19.2dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

950mA

Leistung - Leistung

27W

Spannung - Nennspannung

66V

Paket / Fall

NI-780S

Lieferantengerätepaket

NI-780S

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual), Common Source

Frequenz

2.5GHz ~ 2.69GHz

Gewinn

14.3dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

250mA

Leistung - Leistung

31.6W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT1275-1

Lieferantengerätepaket

DFM6

BF 1005SR E6327

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

N-Channel

Frequenz

800MHz

Gewinn

22dB

Spannungstest

5V

Nennstrom (Ampere)

25mA

Rauschzahl

1.6dB

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

8V

Paket / Fall

SOT-143R

Lieferantengerätepaket

PG-SOT143R-4

Kürzlich verkauft

EPCQ64SI16N

EPCQ64SI16N

Intel

IC CONFIG DEVICE 64MBIT 16SOIC

MT25QU512ABB8ESF-0SIT

MT25QU512ABB8ESF-0SIT

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SSC54-E3/57T

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DIODE SCHOTTKY 40V 5A DO214AB

B340A-E3/61T

B340A-E3/61T

Vishay Semiconductor Diodes Division

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NE3509M04-A

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