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NE5550779A-A

NE5550779A-A

Nur als Referenz

Teilenummer NE5550779A-A
PNEDA Teilenummer NE5550779A-A
Beschreibung FET RF 30V 900MHZ 79A
Hersteller CEL
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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NE5550779A-A Ressourcen

Marke CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNE5550779A-A
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
NE5550779A-A, NE5550779A-A Datenblatt (Total Pages: 17, Größe: 5.166,19 KB)
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NE5550779A-A Technische Daten

HerstellerCEL
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz900MHz
Gewinn22dB
Spannungstest7.5V
Nennstrom (Ampere)2.1A
Rauschzahl-
Stromtest140mA
Leistung - Leistung38.5dBm
Spannung - Nennspannung30V
Paket / Fall4-SMD, Flat Leads
Lieferantengerätepaket79A

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Transistortyp

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Frequenz

1.3GHz

Gewinn

17dB

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50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

250W

Spannung - Nennspannung

100V

Paket / Fall

SOT-1121B

Lieferantengerätepaket

LDMOST

BF256B

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

N-Channel JFET

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

13mA

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

30V

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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TO-92-3

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

N-Channel

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

10mA

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

3V

Paket / Fall

SOT-143R

Lieferantengerätepaket

SOT-143R

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

900MHz

Gewinn

22dB

Spannungstest

7.5V

Nennstrom (Ampere)

3A

Rauschzahl

-

Stromtest

200mA

Leistung - Leistung

38.6dBm

Spannung - Nennspannung

30V

Paket / Fall

79A

Lieferantengerätepaket

79A

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.11GHz ~ 2.16GHz

Gewinn

14.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.05A

Leistung - Leistung

23W

Spannung - Nennspannung

68V

Paket / Fall

TO-270AB

Lieferantengerätepaket

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