75096A
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| Teilenummer | 75096A |
| PNEDA Teilenummer | 75096A |
| Beschreibung | RF POWER TRANSISTOR |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.660 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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75096A Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 75096A |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
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75096A Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Transistortyp | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | - |
| Frequenz - Übergang | - |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | - |
| Gewinn | - |
| Leistung - max | - |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | - |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | - |
| Paket / Fall | - |
| Lieferantengerätepaket | - |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 65V Frequenz - Übergang 960MHz ~ 1.215GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 7dB Leistung - max 940W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 10 @ 5A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 24A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall M216 Lieferantengerätepaket M216 |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 3V Frequenz - Übergang 53GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.75dB @ 6GHz Gewinn 15.8dB Leistung - max 160mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 205 @ 2mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30mA Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 3-XFDFN Lieferantengerätepaket 3-DFN1006 (1.0x0.6) |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp 2 NPN (Dual) Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 5V, 10V Frequenz - Übergang 22GHz, 9GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.1dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz ~ 3GHz Gewinn 14.5dB Leistung - max 200mW, 250mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 130 @ 20mA, 3V / 100 @ 5mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA, 70mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-XFDFN Lieferantengerätepaket TSLP-6-1 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.2dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Gewinn 19.5dB Leistung - max 250mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 50 @ 15mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 65mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-75, SOT-416 Lieferantengerätepaket PG-SC-75 |
