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64010H

64010H

Nur als Referenz

Teilenummer 64010H
PNEDA Teilenummer 64010H
Beschreibung RF POWER TRANSISTOR
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 6.156
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

64010H Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer64010H
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF

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64010H Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
Transistortyp-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)-
Frequenz - Übergang-
Rauschzahl (dB Typ @ f)-
Gewinn-
Leistung - max-
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce-
Strom - Kollektor (Ic) (max.)-
Betriebstemperatur-
Montagetyp-
Paket / Fall-
Lieferantengerätepaket-

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

8V

Frequenz - Übergang

9GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.2dB ~ 2.1dB @ 900MHz

Gewinn

-

Leistung - max

1W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 20mA, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70mA

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

6-TSSOP

AT-64023

Broadcom

Hersteller

Broadcom Limited

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

3W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 110mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200mA

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-SMD (230 mil BeO)

Lieferantengerätepaket

230 mil Be0

40036S

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

400mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 70mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200mA

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-253-4, TO-253AA

Lieferantengerätepaket

SOT-143B

BFU730LXZ

NXP

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

3V

Frequenz - Übergang

53GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.75dB @ 6GHz

Gewinn

15.8dB

Leistung - max

160mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

205 @ 2mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

3-XFDFN

Lieferantengerätepaket

3-DFN1006 (1.0x0.6)

Kürzlich verkauft

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5CEBA9F27C7N

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IC FPGA 336 I/O 672FBGA

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IC USB SWITCH 2.45A CURR 8MSOP

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IC SWITCH QUAD SPDT 20SOIC

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PDS760-13

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Diodes Incorporated

DIODE SCHOTTKY 60V 7A POWERDI5

MTFC4GLVEA-0M WT

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SI4836DY-T1-E3

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