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2SC4627J0L

2SC4627J0L

Nur als Referenz

Teilenummer 2SC4627J0L
PNEDA Teilenummer 2SC4627J0L
Beschreibung RF TRANS NPN 20V 650MHZ SSMINI3
Hersteller Panasonic Electronic Components
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Auf Lager 7.470
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

2SC4627J0L Ressourcen

Marke Panasonic Electronic Components
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2SC4627J0L
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
2SC4627J0L, 2SC4627J0L Datenblatt (Total Pages: 3, Größe: 195,07 KB)
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2SC4627J0L Technische Daten

HerstellerPanasonic Electronic Components
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)20V
Frequenz - Übergang650MHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)3.3dB @ 100MHz
Gewinn24dB
Leistung - max125mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce65 @ 1mA, 6V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)15mA
Betriebstemperatur125°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-89, SOT-490
LieferantengerätepaketSSMini3-F1

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Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

8GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Gewinn

19dB

Leistung - max

175mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 5mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

PG-SOT323-3

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

25V

Frequenz - Übergang

650MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

350mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 4mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

BF240_J35Z

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Frequenz - Übergang

1.1GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

350mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

65 @ 1mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

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