2N2219A
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| Teilenummer | 2N2219A |
| PNEDA Teilenummer | 2N2219A_105 |
| Beschreibung | TRANS NPN 40V 0.8A TO-39 |
| Hersteller | Central Semiconductor Corp |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 12.780 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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2N2219A Ressourcen
| Marke | Central Semiconductor Corp |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 2N2219A |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
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2N2219A Technische Daten
| Hersteller | Central Semiconductor Corp |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 800mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 40V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 10nA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
| Leistung - max | 800mW |
| Frequenz - Übergang | 300MHz |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| Lieferantengerätepaket | TO-39 |
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Hersteller Central Semiconductor Corp Serie - Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 300V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 2mA, 20mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 250nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 10mA, 10V Leistung - max 1.8W Frequenz - Übergang 50MHz Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket TO-18 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 440mV @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 500mA, 2V Leistung - max 740mW Frequenz - Übergang 200MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 3-WDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 3-WDFN (2x2) |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 500V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1V @ 600mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 15 @ 600mA, 5V Leistung - max 50W Frequenz - Übergang 18MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 1.5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 400V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 3V @ 500mA, 1.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 8 @ 500mA, 2V Leistung - max 20W Frequenz - Übergang 4MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket TO-126-3 |
