NSV12100UW3TCG

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Teilenummer | NSV12100UW3TCG |
PNEDA Teilenummer | NSV12100UW3TCG |
Beschreibung | TRANS PNP 12V 1A WDFN3 |
Hersteller | ON Semiconductor |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 5.814 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Apr 6 - Apr 11 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
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NSV12100UW3TCG Ressourcen
Marke | ON Semiconductor |
ECAD Module |
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Mfr. Artikelnummer | NSV12100UW3TCG |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
Datenblatt |
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NSV12100UW3TCG Technische Daten
Hersteller | ON Semiconductor |
Serie | - |
Transistortyp | PNP |
Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 1A |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 12V |
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 440mV @ 100mA, 1A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 100 @ 500mA, 2V |
Leistung - max | 740mW |
Frequenz - Übergang | 200MHz |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 3-WDFN Exposed Pad |
Lieferantengerätepaket | 3-WDFN (2x2) |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 25V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 50nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 120 @ 2mA, 1V Leistung - max 625mW Frequenz - Übergang 170MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
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